Обсяг 1 Tb | Інтерфейс M.2 (PCI-E) | Форм-фактор M.2 (2280) | Швидкість запису 4200 Mb/s, Читання 5000 Mb/s | Тип флеш-пам'яті Samsung V-NAND TLC
| Основні характеристики | |
|---|---|
| Виробник | Samsung |
| Серія | 990 EVO |
| Об'єм | 1000 Gb |
| Форм-фактор | M.2 (2280) |
| Інтерфейс | M.2 (PCI-E) |
| Опис інтерфейсу | PCIe Gen 4.0 NVMe™ x 4 Lanes / 5.0 NVMe™ x 2 Lanes |
| Швидкодія | |
| Максимальна швидкість читання | 5000 Mb/s |
| Максимальна швидкість запису | 4200 Mb/s |
| Додаткові характеристики | |
| Середній час безвідмовної роботи (MTBF) | 1.5 млн./г. (MTBF) |
| Тип флеш-пам'яті NAND | Samsung V-NAND TLC |
| Розміри | 80 x 22 x 2.38 мм |
| Вага | 9 г |
| Опис | ➣ Підтримуються новітні інтерфейси PCIe 4.0x4 і PCIe 5.0x2, забезпечуючи гнучкість для сучасних і майбутніх обчислень. ➣ Швидкість послідовного читання до 5 000 МБ/с для швидкого доступу до ігор і великих файлів. ➣ Енергоефективна конструкція знижує навантаження на батарею вашого ПК. ➣ Інтелектуальне теплове рішення забезпечує стабільну та надійну роботу. |
| Товар на сайті виробника | Переглянути |
| Гарантія та сервіс | |
| Гарантія | 36 місяців |