Объем 1 Tb | Интерфейс M.2 (PCI-E) | Форм-фактор M.2 (2280) | Скорость записи 4200 Mb/s, Чтения 5000 Mb/s | Тип флеш-памяти Samsung V-NAND TLC
| Основные характеристики | |
|---|---|
| Производитель | Samsung |
| Серия | 990 EVO |
| Объем | 1000 Gb |
| Форм-фактор | M.2 (2280) |
| Интерфейс | M.2 (PCI-E) |
| Описание интерфейса | PCIe Gen 4.0 NVMe™ x 4 Lanes / 5.0 NVMe™ x 2 Lanes |
| Быстродействие | |
| Максимальная скорость чтения | 5000 Mb/s |
| Максимальная скорость записи | 4200 Mb/s |
| Дополнительные характеристики | |
| Среднее время безотказной работы (MTBF) | 1.5 млн./ч. (MTBF) |
| Тип флеш-памяти NAND | Samsung V-NAND TLC |
| Размеры | 80 x 22 x 2.38 мм |
| Вес | 9 г |
| Описание | ➣ Поддерживаются новые интерфейсы PCIe 4.0x4 и PCIe 5.0x2, обеспечивая гибкость для современных и будущих вычислений. ➣ Скорость последовательного чтения до 5000 МБ/с для быстрого доступа к играм и большим файлам. ➣ Энергоэффективная конструкция снижает нагрузку на батарею вашего ПК. ➣ Интеллектуальное тепловое решение обеспечивает стабильную и надежную работу. |
| Товар на сайте производителя | Посмотреть |
| Гарантия и сервис | |
| Гарантия | 36 месяцев |