Обсяг 1 Tb | Інтерфейс M.2 (PCI-E) | Форм-фактор M.2 (2280) | Швидкість запису 6300 Mb/s, Читання 7250 Mb/s | Тип флеш-пам'яті Samsung V-NAND TLC
| Основні характеристики | |
|---|---|
| Виробник | Samsung |
| Серія | 990 EVO Plus |
| Об'єм | 1000 Gb |
| Форм-фактор | M.2 (2280) |
| Інтерфейс | M.2 (PCI-E) |
| Опис інтерфейсу | PCIe Gen 4.0 NVMe™ x 4 Lanes / 5.0 NVMe™ x 2 Lanes |
| Швидкодія | |
| Максимальна швидкість читання | 7250 Mb/s |
| Максимальна швидкість запису | 6300 Mb/s |
| Додаткові характеристики | |
| Середній час безвідмовної роботи (MTBF) | 1.5 млн./г. (MTBF) |
| Тип флеш-пам'яті NAND | Samsung V-NAND TLC |
| Розміри | 80.15 х 22.15 х 2.38 мм |
| Вага | 9 г |
| Опис | ➣ Підтримує новітні інтерфейси PCIe 4.0 x4 і PCIe 5.0 x2, забезпечуючи гнучкість для поточних і майбутніх обчислень. ➣ Швидкість послідовного читання до 7250 МБ/с для задоволення потреб бізнесу та творчості. ➣ Доступні різні варіанти ємності до 4 ТБ. ➣ Енергоефективна конструкція зменшує навантаження на батарею вашого ПК. ➣ Інтелектуальне терморегулювання забезпечує стабільну та надійну роботу. |
| Товар на сайті виробника | Переглянути |
| Гарантія та сервіс | |
| Гарантія | 36 місяців |